Superszybka pamięć IBM-a
15 lutego 2007, 14:30Podczas International Solid State Circuits Conference (ISSCC) IBM pokazał najszybszą w historii kość pamięci. Dzięki zastosowaniu nowej technologii układ eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory) Błękitnego Giganta charakteryzuje się nie tylko najkrótszym czasem dostępu do danych, ale również ponadtrzykrotnie większą pojemnością niż analogiczne produkty konkurencji.
Ulepszyli baterie litowo-powietrzne
4 kwietnia 2010, 17:56Zespół profesora Yang Shao-Horna z MIT-u, który specjalizuje się w badaniach nad bateriami litowo-powietrznymi, dokonał bardzo ważnego odkrycia dającego nadzieję, że na rynek trafią baterie o największej dostępnej gęstości mocy.
GDDR4 z 4-gigahercowym zegarem
23 lutego 2007, 11:23Podczas International Solid State Circuits Conference (ISSCC) Samsung pokazał układy GDDR4 taktowane zegarem o częstotliwości 4 GHz. Kości są o około 40% szybsze niż obecnie stosowane GDDR4, do pracy potrzebują jednak więcej mocy.
Zaglądając do wnętrza szafiru
25 listopada 2010, 21:59Dla jednych bezcenny materiał na biżuterię i źródło estetycznych zachwytów, dla innych świetny materiał na wytrzymałe elementy maszyn, dla jeszcze innych okazja do zbadania i poszerzenia swojej wiedzy. Szafir. Jeden z najcenniejszych i najpiękniejszych kamieni szlachetnych.
Dyski SSD o pojemności 128 GB
15 marca 2007, 14:20Firma Super Talent Technology, jeden liderów na rynku pamięci DRAM i flash poinformowała o przygotowaniu całej gamy dysków SSD (solid-state disk). Urządzenia wyposażono w interfejs SATA.
Zdalnie zasilane implanty w krwioobiegu
24 lutego 2012, 10:12Podczas International Solid-State Circuits Conference uczeni z Uniwersytetu Stanforda zaprezentowali niewielki implant, zdolny do kontrolowania swej trasy w układzie krwionośnym człowieka. Ada Poon i jej koledzy stworzyli urządzenie zasilane za pomocą fal radiowych. Implant można więc wprowadzić do organizmu człowieka, kontrolować jego trasę i nie obawiać się, że np. wyczerpią się baterie.
Samsung proponuje 24 gigabajty na sekundę
3 grudnia 2007, 12:13Samsung Electronics jest autorem najbardziej wydajnych pamięci dla układów graficznych. Pojedynczy kanał wejścia-wyjścia 512-megabitowej kości GDDR5 przesyła dane z prędkością 6 gigabitów na sekundę.
Powstał najbardziej skomplikowany obwód elektroniczny z nanorurek
27 lutego 2013, 19:11Podczas ubiegłotygodniowej International Solid-State Circuits Conference naukowcy z Uniwersytetu Stanforda zaprezentowali najbardziej skomplikowany obwód scalony wykonany z węglowych nanorurek. Obwód przekładał sygnał analogowy z kondensatora na sygnał cyfrowy, który trafiał do mikroprocesora
Lasery bojowe to już rzeczywistość
4 września 2008, 11:37Broń laserowa może trafić na pola bitwy znacznie szybciej, niż się tego spodziewamy. Firma Northrop Grumman, poinformowała Pentagon, że do końca bieżącego roku przygotuje bojowe lasery elektryczne.
Intel nie widzi problemu
23 lutego 2015, 13:14Przedstawiciele Intela uważają, że Prawo Moore'a będzie obowiązywało jeszcze przez kilka kolejnych lat. Podczas zbliżającej się International Solid-State Circuits Conference zaprezentują oni kilka odczytów dotyczących przyszłego rozwoju półprzewodników. Już teraz zdradzili, że ich zdaniem technologia 7 nm (która ma zadebiutować w 2018 roku), nie będzie wymagała wykorzystania dalekiego ultrafioletu.
